【研究背景】自2012年报道全固态结构钙钛矿太阳能电池以来，亏加氢久钙钛矿ABX3（A=CH3NH3（MA），亏加氢久NH2CHNH2（FA）或Cs，B=Pb或Sn，X=Cl，Br，I或混合卤化物）太阳能电池已得到广泛研究。

站投资热NK边光谱的（b）峰a和（c）峰b的去卷积拟合。扛多【图文导读】图1 高纯度FeN4位点（a）高纯度吡咯型FeN4结构的制备方法。

近年来，亏加氢久铁-氮配位体（FeN4）因其在酸性介质中具有良好的ORR活性而成为PEMFCs最有前途的非贵金属催化剂。站投资热（d）HP-FeN4前体在NH3气氛下热解不同时间的ORR催化活性。然而，扛多目前吡咯氮配位FeN4结构的合成仍面临挑战，严重阻碍了FeN4催化剂的工业化应用。

亏加氢久（d）在ORR过程中中间体在吡咯型FeN4上的吸附构型。因此，站投资热用这种高纯度的FeN4催化剂制成的PEMFCs具有高的开路电压（1.01V）和大峰值功率密度（超过700mWcm-2）。

扛多图3 HP-FeN4和FeN4的理论计算（a,b）计算了（a）吡咯型FeN4和（b）吡啶型FeN4的电荷密度差。

亏加氢久（b）HRTEM和（c）HP-FeN4材料的HAADF-STEM图像。站投资热图3 HP-FeN4和FeN4的理论计算（a,b）计算了（a）吡咯型FeN4和（b）吡啶型FeN4的电荷密度差

▲图为高通第二代骁龙XR2平台预计三星和LG将基于第三代芯片制造XR终端，扛多以应对Meta的Quest和苹果的VisionPro等产品。注：亏加氢久三星、亏加氢久高通和谷歌曾于今年2月宣布结成XR联盟，LG总裁赵柱完（音译）也在今年7月举行的中长期业务战略新闻发布会上谈到XR时表示，当时正与几家公司接触并研究商业化的可能性。

司宏国对XR设备的前景表示看好：站投资热我们认为2024年将是VR、AR设备的增长高峰年，未来2-5年是持续增长期。此外，扛多LG还表示当前正在开发智能眼镜。